Оперативная память Hynix 8GB DDR3-1333 RDIMM HMT31GR7BFR4C-H9

5184 р.

В наличии
Производитель: Hynix
Код Товара: HMT31GR7BFR4C-H9

Характеристики: Базовая единица - шт / Количество в упаковке - 1 / Конфигурация памяти (модули х емкость) - 1x8Gb / Напряжение питания - 1.5V / Объем модуля DRAM, Гб - 8 / Поддержка ECC памяти - Да / Производитель - Hynix / Тактовая частота памяти - 1600 MHz / Тип оперативной памяти - DDR3 / Тип устройства - Память / смотреть все

5184 р.

Нашли дешевле?

Модуль памяти Hynix 8GB 2Rx4 PC3-10600R DDR3 1333MHz ECC REG x4 1,5V Dual Rank HMT31GR7BFR4C-H9 доступен для заказа. Боуз Групп предлагает к поставке оперативную память по самой выгодной цене на нашем сайте. Вы можете купить модуль оперативной памяти HMT31GR7BFR4C-H9 с доставкой по России и СНГ.
Модуль DDR3 8Gb Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 представляет собой высококачественное решение для расширения памяти вашей системы. Этот модуль обладает рядом технических характеристик, которые делают его идеальным выбором для профессиональных и серверных приложений.
DDR3 8Gb Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 поддерживает ECC (Error Correction Code) REG (Registered) технологию, что обеспечивает повышенную надежность и стабильность работы системы. ECC позволяет обнаруживать и исправлять ошибки в передаваемых данных, что особенно важно для серверных приложений, где точность и целостность данных являются критическими факторами.
Этот модуль также поддерживает скорость передачи данных на уровне 1333 МГц (PC3-10600R), что обеспечивает быструю и эффективную обработку информации. Более высокая скорость позволяет улучшить производительность системы и сократить время отклика.
DDR3 8Gb Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 имеет конфигурацию 2Rx4, что означает, что модуль использует два ряда чипов памяти для каждого банка. Это позволяет достичь более высокой плотности памяти и повысить ее производительность.

Характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Поддержка ECC
Буферизованная (Registered)
CL: 9
Количество модулей в комплекте: 1
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.5 В
Количество ранков: 2
Радиатор: есть
Упаковка чипов: двусторонняя

Характеристики
Базовая единица		шт
Количество в упаковке		1
Конфигурация памяти (модули х емкость)		1x8Gb
Напряжение питания		1.5V
Объем модуля DRAM, Гб		8
Поддержка ECC памяти		Да
Производитель		Hynix
Тактовая частота памяти		1600 MHz
Тип оперативной памяти		DDR3
Тип устройства		Память
Форм-фактор памяти		DIMM