Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 2
<p>Мы предлагаем бесплатную доставку более чем в 4 000 городов. Платите только за покупку, а все расходы по доставке мы возьмём на себя. *акция действует только при покупке на сумму от 3000 грн. <br></p>
<p>Подарки вам и вашим близким на сумму до 20 000 грн при покупке Samsung Galaxy.Выбирайте смартфон и подарки на указанную сумму.Скидка рассчитается автоматически. <br></p>
<p>Любой, кто охотится за низкими ценами, прекрасно знает, что распродажи в магазинах происходят по особому календарю акций. По сути, это постоянный график, который повторяется из года в год, поэтому стоит изучить его, чтобы знать, когда начинаются сезонные распродажи! <br></p>