Оперативная память Samsung 16GB DDR4 3200MHz M378A2K43EB1-CWE

8766 р.

В наличии
Код Товара: M378A2K43EB1-CWE

Характеристики: Базовая единица - шт / Время задержки CAS - 22 / Напряжение питания - 1.2 В / Объем модуля DRAM, Гб - 16 / Производитель - Samsung / Тактовая частота памяти - 3200 МГц / Тип оперативной памяти - DDR4 / Тип устройства - Память / Форм-фактор памяти - DIMM /

8766 р.

Нашли дешевле?

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 3200MHz M378A2K43EB1-CWE доступна для заказа. IT Group предлагает к поставке модуль памяти M378A2K43EB1-CWE по самой выгодной цене на нашем сайте. Технические специалисты помогут вам с подбором оборудования по вашему запросу.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 3200MHz M378A2K43EB1-CWE является высококачественным компонентом, предназначенным для повышения производительности вашего устройства. Эта модель оперативной памяти обеспечивает быструю и эффективную работу системы, позволяя вам запускать множество приложений одновременно и выполнять сложные задачи без задержек.
Скорость оперативной памяти составляет 3200 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность данных и улучшает общую производительность системы.
Объем оперативной памяти составляет 16 ГБ, что является оптимальным для большинства пользователей. Это позволяет обрабатывать большие объемы данных и запускать требовательные программы без замедления работы системы. Большой объем оперативной памяти также полезен при многозадачности, позволяя вам комфортно работать с несколькими приложениями одновременно.
Модель M378A2K43EB1-CWE разработана Samsung, одним из ведущих производителей компьютерных компонентов. Она отличается надежностью долговечностью, что гарантирует стабильную работу вашей системы на протяжении длительного времени.
Установка оперативной памяти Samsung 16GB DDR4 3200MHz M378A2K43EB1-CWE проста и не требует особых навыков. Она совместима с большинством современных материнских плат и поддерживает стандарт DDR4, который является наиболее распространенным в настоящее время.

Характеристики:
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор памяти: DIMM
Объем памяти: 16 ГБ
Ранговость: двухранговая
Тактовая частота: 3200 МГц

Характеристики
Базовая единица		шт
Время задержки CAS		22
Напряжение питания		1.2 В
Объем модуля DRAM, Гб		16
Производитель		Samsung
Тактовая частота памяти		3200 МГц
Тип оперативной памяти		DDR4
Тип устройства		Память
Форм-фактор памяти		DIMM