Смотреть все категории
Характеристики | ||
Базовая единица | шт | |
Время задержки CAS | 19 | |
Конфигурация памяти (модули х емкость) | 1x8GB | |
Напряжение памяти | 1.2 В | |
Объем модуля DRAM, Гб | 8 | |
Поддержка ECC памяти | Да | |
Производитель | Samsung | |
Тактовая частота памяти | 2666 МГц | |
Тип оперативной памяти | DDR4 | |
Тип устройства | Память | |
Форм-фактор памяти | DIMM 288-контактный |